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產(chǎn)品詳情
北京華測高溫?fù)舸y試儀優(yōu)勢
日期：2025-05-12 12:17
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摘要：
北京華測高溫?fù)舸y試儀優(yōu)勢
● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：
目前國內(nèi)材料電壓擊穿試驗(yàn)儀采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對(duì)于電弧放電過程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國產(chǎn)儀器維護(hù)率過高的主要原因。而華測獨(dú)立開發(fā)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的**防護(hù)。
●多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù)：
材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,國際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然...
北京華測高溫?fù)舸y試儀優(yōu)勢
● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：
目前國內(nèi)材料電壓擊穿試驗(yàn)儀采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對(duì)于電弧放電過程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國產(chǎn)儀器維護(hù)率過高的主要原因。而華測獨(dú)立開發(fā)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的**防護(hù)。
●多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù)：
材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,國際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級(jí)循環(huán)采集技術(shù)對(duì)擊穿后的電壓采集將解決此難題。
