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產(chǎn)品詳情
北京華測(cè)自主研發(fā)高壓極化裝置
日期：2025-05-10 00:38
瀏覽次數(shù)：674
摘要：
北京華測(cè)自主研發(fā)高壓極化裝置
北京華測(cè)自主研發(fā)高壓極化裝置
高壓極化裝置儀器優(yōu)點(diǎn)：
● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)： 光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于閃絡(luò)放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)獨(dú)立開(kāi) 發(fā)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的優(yōu)良防護(hù)。
● 多級(jí)循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設(shè)備采用PID算法，以及多級(jí)循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值。控溫和測(cè)溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實(shí)際溫度.
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設(shè)備不僅具備過(guò)壓...
北京華測(cè)自主研發(fā)高壓極化裝置
北京華測(cè)自主研發(fā)高壓極化裝置
高壓極化裝置儀器優(yōu)點(diǎn)：
● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)： 光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于閃絡(luò)放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)獨(dú)立開(kāi) 發(fā)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的優(yōu)良防護(hù)。
● 多級(jí)循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設(shè)備采用PID算法，以及多級(jí)循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值?？販睾蜏y(cè)溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實(shí)際溫度.
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設(shè)備不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)系統(tǒng)，它獨(dú)有的雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問(wèn)題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測(cè)技術(shù)以保證采集電流的有效值 ，以及電流抗干擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術(shù) 目前進(jìn)口設(shè)備大都采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高。便于維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)是調(diào)壓器無(wú)法比擬的。
● 測(cè)試電壓可達(dá)到12000V 目前測(cè)試電阻率儀器測(cè)試電壓為12000V?？蓾M足國(guó)內(nèi)外材料極化要求，同時(shí)也是目前測(cè)試通道數(shù)*多的檢測(cè)設(shè)備。
高壓極化裝置儀器優(yōu)點(diǎn)：
● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)： 光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于閃絡(luò)放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)獨(dú)立開(kāi) 發(fā)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的優(yōu)良防護(hù)。
● 多級(jí)循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設(shè)備采用PID算法，以及多級(jí)循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值?？販睾蜏y(cè)溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實(shí)際溫度.
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設(shè)備不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)系統(tǒng)，它獨(dú)有的雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問(wèn)題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測(cè)技術(shù)以保證采集電流的有效值 ，以及電流抗干擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術(shù) 目前進(jìn)口設(shè)備大都采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高。便于維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)是調(diào)壓器無(wú)法比擬的。
● 測(cè)試電壓可達(dá)到12000V 目前測(cè)試電阻率儀器測(cè)試電壓為12000V?？蓾M足國(guó)內(nèi)外材料極化要求，同時(shí)也是目前測(cè)試通道數(shù)*多的檢測(cè)設(shè)備。
